蓉矽半导体成立于2019年12月，是四川[敏感词]也是目前[敏感词]一家专注于SiC功率器件设计与开发的企业，拥有一支由中国大陆、中国台湾、日本以及欧洲SiC核心技术人才组成的国际化团队，已经建立了从原材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF16949质量管理标准的完整供应链。

在本次发布会上，蓉矽半导体总经理戴茂州首先代表公司发表致辞。他说，蓉矽的公司座右铭是“较真”，这是蓉矽与众不同之处。“无论是对接客户需求，还是设置器件的电参数，我们都非常认真地对待，产品就像我们的孩子，在整个产品的开发过程中，我们灌注很多的心力。而且我们的产品开发哲学也不大一样，我们是从客户的应用场景和应用需求出发，来定义产品的各种特性，我们不做通用型产品。”

蓉矽致力于开发世界一流水平的车规级SiC器件，同时提供配套应用解决方案，力争实现进口替代的目标。戴茂州表示，“可靠性是功率器件的关键，是历经时间恒久不变的品质。为了实现产品的高可靠性，我们正在建立‘零缺陷’的车规级质量体系，正因为如此，我们SiC器件[敏感词]版流片就可以达到超过90%的良率，这在半导体行业是非常高的荣誉。”

本次发布会，蓉矽正式发布了1200V NovuSiC® EJBS™，并预告了新一代SiC MOSFET的开发进展和发布时间。戴茂州说，无论在性能，还是性价比上，蓉矽的新产品都位于国内外[敏感词]梯队，这是蓉矽半导体多年研发的结晶，进一步丰富了公司的产品系列，彰显了公司在国内SiC领域的竞争力，是公司SiC研发的里程碑之一。

同时，他认为，在全球“双碳”政策的驱动下，SiC功率器件未来将广泛应用于新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、风力发电、UPS、通信电源等大功率、高频、高效率领域。而蓉矽作为提供绿色节能技术的企业之一，公司将全力支持[敏感词]实现节能减排和“双碳”目标，贡献自己应尽的力量。而在下游需求不断扩大的态势下，蓉矽的SiC器件将以国际先进的性能和高可靠性，满足诸多目标应用的需求，公司未来的发展前景也将会愈发广阔。

蓉矽的SiC器件主要由中国台湾的汉磊代工，据了解，蓉矽是汉磊众多SiC客户中，少数能够实现SiC MOSFET量产的企业之一。

会上，汉磊科技股份有限公司大中华区销售总监程泰庆通过视频方式，向蓉矽产品发布表示祝贺。程泰庆认为，在新能源汽车、数据中心和光伏等市场的推动下，SiC功率器件需求将大幅增长，为了让蓉矽等客户能够从容应对下游用户日益增长的产品需求，汉磊目前正在加大产能扩张力度，2022年的6英寸SiC代工产能将达到2000片/月，预计2023年将达到4000片/月，到2024年再扩大至5500片/月。

NovuSiC® EJBS™：浪涌电流超11倍

建立“零缺陷”质量管理体系

目前，蓉矽有两个SiC系列产品，分别为高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”系列，涵盖NovuSiC® EJBS™和NovuSiC® MOSFET。

会上，蓉矽半导体副总经理高巍发表了新品专题报告，介绍了[敏感词]的自主开发的NovuSiC® EJBS™和MCR®产品。

[敏感词]款亮相的新产品是NovuSiC® EJBS™。高巍主要围绕NovuSiC®产品的开发历程、NovuSiC®产品的性能与特点、NovuSiC®与国内外竞品的对比、NovuSiC® EJBS™产品的可靠性与品质等方面展开介绍。

该产品的特点包括：低开关损耗、高短路耐受时间>3µs、高雪崩耐量、175℃最高工作结温，可以应用在更高频的环境，从而大幅降低外围电路电感、电容、滤波器和变压器的尺寸，提高系统整体功率密度，降低系统总成本。

在可靠性方面，蓉矽[敏感词]代NovuSiC® MOSFET产品正在进行AEC-Q101相关的可靠性验证。

据高巍介绍，蓉矽的第二代NovuSiC® MOSFET基于更先进的工艺制程与更优异的设计，相较于[敏感词]代产品，其比导通电阻得到大幅下降，不但获得了更高的性价比，同时也改善了器件动态特性，获得了更低的开关损耗。

相比[敏感词]代产品，蓉矽的第二代NovuSiC® MOSFET的Ron,sp降低了24%，Qg降低了25%。

蓉矽表示，他们第二代NovuSiC® MOSFET已经实现了流片，很快就会对外发布。此外，他们还将继续加大研发投入，继续研发1700V、3300V 车规级SiC二极管、SiC MOSFET和SiC模块，以便满足市场对高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体器件需求。

硅基二极管实现nA级性能

高温耐压超越同类产品

除了SiC器件，蓉矽还发布了高结温、超低漏电、低导通压降和高结温性能稳定的理想硅基二极管MCR®（MOS-Controlled Rectifier）。