产品分类
MOS
MT10G036P

产品概述

 

- 漏源电压(V_{DS}):100V

 

- 漏极电流(I_{D}):240A

 

- 当栅源电压(V_{GS})为 10V 时,导通电阻(R_{DS(ON)})为 3.3 毫欧

 

特性

 

- 先进的沟槽工艺技术。

 

- 高密度单元设计,实现超低导通电阻。

 

- 无铅产品。

 

- 符合欧盟 RoHS 指令。

 

- TOLL 封装

 

应用领域

 

- 功率开关应用

 

- 硬开关和高频电路

 

- 不间断电源

 

简化示意图

 

(图中符号:D 为漏极,G 为栅极,S 为源极 )

 

标识图和引脚分配

 

TO - 220封装 (图中引脚顺序:G 为栅极,D 为漏极,S 为源极 )

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