MOS
MT6808N5
MT6808N5的核心技术参数
根据器件规格书显示，MT6808N5采用先进的沟槽栅工艺制造，其关键参数表现突出：
- **电压电流特性**：漏源击穿电压（VDS）达70V，连续漏极电流（ID）在25℃环境下可达80A，脉冲电流能力更高。这种高电流承载能力使其特别适合大功率应用场景。
- **导通特性**：典型导通电阻（RDS(on)）在VGS=10V时仅3.5mΩ，显著降低了导通损耗。值得注意的是，该参数随栅极驱动电压升高而降低，在4.5V驱动时约为5mΩ。
- **开关特性**：输入电容（Ciss）约3800pF，栅极电荷（Qg）约68nC，这些参数直接影响开关损耗和驱动电路设计。快速开关特性使其工作频率可达数百kHz。
- **热特性**：结到环境的热阻（θJA）约62℃/W，采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能。
