SC2302 20VN沟道增强型mosFet

Vos=20V

RDS(oN)，Vg(@-25V，Is@2.0A-90mQ2@TYP

RDS(ON VE(@4.5V，Is@3.2A-65mQ2@TYP

特征

先进的沟槽加工技术

超低导通电阻高密度电池设计

最大额定值和热特性(TA=25 C，除非另有说明)

参数

漏源电压

门源电压

连续漏电流

A.

脉冲漏电流8TA=25℃

125最大功率损耗

操作接头和存储温度范围

55至150结与环境热阻(PCB安装)

140温度/水温

注：1。重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制

2.1/2盎司铜印刷电路板