SC2302 20VN沟道增强型mosFet
Vos=20V
RDS(oN),Vg(@-25V,Is@2.0A-90mQ2@TYP
RDS(ON VE(@4.5V,Is@3.2A-65mQ2@TYP
特征
先进的沟槽加工技术
超低导通电阻高密度电池设计
[敏感词]额定值和热特性(TA=25 C,除非另有说明)
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流
A.
脉冲漏电流8TA=25℃
125[敏感词]功率损耗
操作接头和存储温度范围
55至150结与环境热阻(PCB安装)
140温度/水温
注:1。重复额定值:脉冲宽度受最高结温限制
2.1/2盎司铜印刷电路板
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