台积电的 N2 是一个全新的平台，广泛使用 EUV 光刻技术，并引入了 GAAFET（台积电称之为纳米片晶体管）以及背面供电。新的环栅晶体管结构具有广为人知的优势，例如大大降低了漏电流（现在栅极围绕沟道的所有四个边）以及调节沟道宽度以提高性能或降低功耗的能力. 至于背面电源轨，它通常旨在为晶体管提供更好的电力输送，为后端 (BEOL) 中电阻增加的问题提供解决方案。新的电源传输旨方案在提高晶体管性能并降低功耗。
从功能集的角度来看，台积电的 N2 看起来是一项非常有前途的技术。至于实际数字，台积电承诺 N2 将让芯片设计人员在相同功率和晶体管数量下将性能提升 10% 至 15%，或者在相同频率和复杂度下将功耗降低 25% 至 30%，同时，与N3E 节点相比，芯片密度增加了 1.1 倍以上。
