延长导入时程代表台积电需提供N3节点加强版，以满足客户需求，因客户仍不断提升每瓦性能及电晶体晶体密度。另一个原因是N2节点依赖纳米片(Nanosheet)结构达成全新栅极环绕场效应晶体管(GAA FET)，成本提高，且必须新设计方法、新IP和其他变化。虽然先进芯片开发人员将很快转移到N2制程，但台积电普通客户仍持续使用各种N3制程技术。

台积电技术研讨会还谈到几年内推出的四种N3节点延伸制程，使N3节点总计五个制程N3、N3E、N3P、N3S和N3X。N3延伸制程是为超高性能应用提供改进技术，有更高性能数量的电晶体密度，以及更高增强电压。所有技术都支援FinFlex架构，是台积电的秘密武器，极大化增强设计灵活性，并允许芯片设计人员[敏感词][敏感词]化性能、功耗和成本。